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高穩(wěn)定性LED芯片

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• 發(fā)布時(shí)間：2014-12-10
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    近日，由揚(yáng)州大學(xué)物理學(xué)院承擔(dān)的我省科技攻關(guān)項(xiàng)目大功率高亮度LED芯片研究取得重大進(jìn)展，首批試制樣品已上線接受1000小時(shí)的性能測(cè)試。這款由我國自主研發(fā)的新光源芯片，將用于替代國外同類產(chǎn)品。據(jù)了解，作為光電強(qiáng)省，我省去年開始展開高性能LED芯片的研究。揚(yáng)大物理學(xué)院光電研究中心與揚(yáng)州華夏光電合作，對(duì)國產(chǎn)芯片的電極形狀進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，著力解決發(fā)熱量大、衰減快、發(fā)光效率低等穩(wěn)定性問題，以提高其使用壽命和發(fā)光效率。目前首批新型芯片樣品已經(jīng)試制成功，并已經(jīng)獲得3項(xiàng)國家專利，經(jīng)過1000小時(shí)連續(xù)帶電測(cè)試后，研究人員還將對(duì)細(xì)節(jié)進(jìn)行改進(jìn)，新芯片的穩(wěn)定使用壽命約能提高到5萬小時(shí)以上。

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