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中鎵半導(dǎo)體:打造LED高端領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)

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  • 發(fā)布時間:2014-07-10
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 中鎵半導(dǎo)體:打造LED高端領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)

    科技東莞5周年中鎵半導(dǎo)體:打造LED高端領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)李治邦在低碳經(jīng)濟(jì)風(fēng)行全球的大背景下,LED產(chǎn)業(yè)作為21世紀(jì)的朝陽產(chǎn)業(yè),以其節(jié)能、安全、長壽、穩(wěn)定等突出特點(diǎn)廣受矚目。東莞市把LED產(chǎn)業(yè)列為重點(diǎn)培育的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)之一,未來5年至少將投入25億元重點(diǎn)扶持LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展。此前出臺的《東莞市推進(jìn)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展與應(yīng)用示范工作實(shí)施方案》明確提出,未來要重點(diǎn)支持中鎵氮化鎵(GaN)基襯底材料產(chǎn)業(yè)化基地等重大科技項目發(fā)展。東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展迎來了難得的歷史機(jī)遇。注重研發(fā)催生無限活力“研發(fā)是企業(yè)的生命,人才是科技的代表。”東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司董事長陳健民如此表述研發(fā)和人才對于科技企業(yè)的重要意義。中鎵公司總部位于東莞市企石鎮(zhèn)科技工業(yè)園,總部廠房及辦公區(qū)面積達(dá)1.7萬多平方米;該公司還在北京設(shè)立了面積達(dá)1000平方米的大型研發(fā)中心。作為我國首家專業(yè)生產(chǎn)氮化鎵基襯底材料的企業(yè),中鎵公司在LED相關(guān)高精密設(shè)備制造等方面具有雄厚的實(shí)力。該項目還被確定為東莞市2010年重點(diǎn)投資項目,投資額達(dá)1億多元,具有良好的經(jīng)濟(jì)和社會效益。中鎵公司創(chuàng)造性地采用MOCVD(金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積)技術(shù)、激光剝離技術(shù)、HVPE技術(shù)相結(jié)合的方法,研發(fā)生產(chǎn)的產(chǎn)品包括GaN基襯底、GaN/Al2O3復(fù)合襯底和圖形化藍(lán)寶石襯底(PSS)以及生產(chǎn)上述產(chǎn)品的設(shè)備,如激光剝離設(shè)備等。
    擁有多項技術(shù)的自主知識產(chǎn)權(quán)是中鎵公司在國內(nèi)外競爭中能夠處于優(yōu)勢地位的重要保證。中鎵公司在重視研發(fā)的同時,非常重視發(fā)揮人才的重要作用。該公司已聘請著名物理學(xué)家、中國科學(xué)院院士、北京大學(xué)教授甘子釗為公司咨詢委員會主席,聘請北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任張國義教授為公司總經(jīng)理、北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心副主任童玉珍副教授為公司副總經(jīng)理、日本千葉大學(xué)工學(xué)博士秦志新副教授為中鎵公司北京研發(fā)中心負(fù)責(zé)人。同時,中鎵公司建立了氮化鎵基襯底、圖形化藍(lán)寶石襯底、外延芯片、藍(lán)光激光器等多條研發(fā)生產(chǎn)線,掌握GaN外延層的大面積、低功率激光剝離技術(shù),擁有固體激光器無損剝離GaN與藍(lán)寶石襯底等多項技術(shù)專利。截至目前,中鎵公司擁有國家授權(quán)的發(fā)明專利3項,申請發(fā)明專利3項,申請PCT國際專利1項。目前該公司正與北京大學(xué)聯(lián)合申報國家863計劃重點(diǎn)項目。依靠創(chuàng)新建立領(lǐng)先平臺重視建設(shè)和引進(jìn)創(chuàng)新型人才隊伍是中鎵公司得以快速發(fā)展的關(guān)鍵。廣東省首批引進(jìn)了12個戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新科研團(tuán)隊,中鎵公司的寬禁帶半導(dǎo)體研究中心團(tuán)隊就是其中之一。
    該團(tuán)隊是由9名老中青學(xué)者組成的科研隊伍,由甘子釗率領(lǐng),主要研究方向?yàn)榈锊牧仙L和器件研究,團(tuán)隊整體科研實(shí)力達(dá)到世界一流水平,是目前全球少數(shù)幾個掌握氮化鎵基襯底材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)的團(tuán)隊之一。中鎵公司引進(jìn)這一團(tuán)隊成功填補(bǔ)了國內(nèi)半導(dǎo)體上游氮化鎵基襯底材料產(chǎn)業(yè)鏈上的缺口。該團(tuán)隊在中鎵公司從事研發(fā)生產(chǎn),負(fù)責(zé)籌建東莞北大中鎵半導(dǎo)體研發(fā)中心,推動?xùn)|莞成為我國氮化物半導(dǎo)體研發(fā)、生產(chǎn)基地,還將爭取用5年左右時間,為東莞培養(yǎng)一支自主研發(fā)隊伍。對于帶領(lǐng)團(tuán)隊“落戶”中鎵公司,甘子釗表示:“光電行業(yè)是一個知識比較密集的行業(yè)。我們要通過創(chuàng)新不斷提高整支隊伍的素質(zhì),促進(jìn)企業(yè)生產(chǎn)技術(shù)的成熟與進(jìn)步。在這一基礎(chǔ)上再充分利用中鎵公司位于珠三角腹地,毗鄰深圳、香港等便利條件,在重視自主研發(fā)的同時有效引進(jìn)海外優(yōu)勢技術(shù)。這不僅能實(shí)現(xiàn)中鎵公司的快速發(fā)展,也能推動?xùn)|莞及珠三角LED產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步,甚至在全國起到帶頭作用。”先進(jìn)技術(shù)奠定市場優(yōu)勢第2頁共2頁當(dāng)前,對于東莞乃至全國而言,光電產(chǎn)業(yè)已成為業(yè)界焦點(diǎn)。東莞在LED封裝領(lǐng)域的優(yōu)勢十分突出,但從整個產(chǎn)業(yè)鏈來看,主要集中在下游環(huán)節(jié),在生產(chǎn)設(shè)備、襯底材料、外延片、芯片等上中游環(huán)節(jié)與國際水平差距明顯。“一條完整的LED產(chǎn)業(yè)鏈由幾個環(huán)節(jié)構(gòu)成,從上游的襯底材料、外延片和芯片制造到中游的封裝再到下游的應(yīng)用,都不可或缺。因此,如何從下游走向上游、從低端走向高端,決定著東莞LED產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展前景。”曾擔(dān)任“九五”國家863計劃LED信息光電子主題專家組專家、“十五”國家半導(dǎo)體照明專家組成員的中鎵公司總經(jīng)理張國義,對于LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀有著很深的認(rèn)識。他表示,隨著以中鎵公司為代表的一批上游LED企業(yè)的發(fā)展,東莞LED產(chǎn)業(yè)鏈條的中上游環(huán)節(jié)將得到極大增強(qiáng)。“從目前情況看,發(fā)展形勢越來越明朗,企業(yè)前進(jìn)的后勁也很足”。
    據(jù)介紹,從技術(shù)特性上看,中鎵公司目前已經(jīng)具備行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)水平和實(shí)力。在傳統(tǒng)的工藝制備中,外延片是在藍(lán)寶石、碳化硅或硅的基底上生長出來的,然后再切割、打磨成LED芯片。但中鎵公司選擇在氮化鎵基襯底上生長出外延片的路徑,可以生產(chǎn)出更優(yōu)質(zhì)的外延片。為了強(qiáng)化技術(shù)優(yōu)勢,該公司還收購一家韓國公司并吸收其技術(shù),斥資4000多萬元從德國愛思強(qiáng)公司進(jìn)口兩臺用于外延片制備的MOCVD設(shè)備。“氮化鎵基襯底材料具有‘三高’特點(diǎn),即技術(shù)高、難度高、價格高,因此可以帶來更高的利潤率并且前景廣闊。”中鎵公司高級工程師孫永健表示,中鎵公司獨(dú)創(chuàng)出在氮化鎵基襯底上生長出外延片的技術(shù),在生產(chǎn)氮化鎵基襯底材料的同時,為了在價格和性能上取得平衡,還研制出復(fù)合襯底材料,“這是一個折衷的辦法,價格要比氮化鎵基襯底低,但是技術(shù)原理相似,性能也比目前市場上的襯底材料要好很多。”主攻LED上游環(huán)節(jié)技術(shù)的企業(yè)在東莞乃至珠三角并不多見,類似中鎵公司這樣擁有襯底材料領(lǐng)先技術(shù)的企業(yè)在全國更是寥寥無幾。“中國LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢必定是由下游環(huán)節(jié)向上游環(huán)節(jié)轉(zhuǎn)移。中鎵公司在這方面已經(jīng)走在前面。”孫永健表示,這正是中鎵公司主攻襯底材料的原因。“技術(shù)就是王道,有了技術(shù)自然就擁有了市場。”中鎵公司市場營銷部門負(fù)責(zé)人表示,該公司在市場上已受到廣泛關(guān)注,“中鎵在氮化鎵基襯底技術(shù)應(yīng)用生產(chǎn)前,已經(jīng)通過技術(shù)人員在國內(nèi)外學(xué)術(shù)會議上對這一技術(shù)進(jìn)行了展示,在業(yè)界樹立了口碑。這種影響為開拓市場打下堅實(shí)基礎(chǔ),從目前各方面反饋情況看,優(yōu)勢正在不斷擴(kuò)大,發(fā)展前景也被普遍看好。”

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